磁探伤专用巨磁阻抗效应（GMI）磁传感器

巨磁阻抗效应（GMI）磁传感器是将具有巨磁阻抗效应（GMI）的材料与驱动、采样、积分和滤波电路所用电子元件集成在PCB上的高灵敏度、高速磁传感器，适用于空间微弱磁场测量、金属磁记忆探伤探伤、金属物体位置和速度检测、电流、电压与相位等电量测量、金属构件应力检测等。

巨磁阻抗效应（GMI）磁传感器是将此阻抗效应敏感材料、驱动电路、信号处理电路和（或）MCU集成在一起，按输出形式划分为模拟式和数字式，按结构划分为裸板和壳体，按外形尺寸划分为超微型和微型。

巨磁阻抗效应（GMI）磁传感器与磁阻与传统磁传感器（如霍尔、磁通门、磁阻传感器等）相比，其核心优势主要体现在具有更高的灵敏度和更快的响应速度上，目前，国内最高水平已达10pT，理论上有望达到100fT，此外，其与一些高端的磁传感器（如光泵、超导量子等）相比成本优势显著。磁探伤用传感器与磁探测用传感器不同之处在于更关注工业现场对安全性、可靠性和稳定性，适应钢丝绳、钢轨、钢制罐体的探伤需要，其主要技术参数如下：

1. 传感器类型：基于钴基非晶丝的巨磁阻抗效应磁传感器

2. 测量范围:  ±300000nT  （1000nT  =10 毫高斯） 

3. 频带 : 2 kHz

4. 噪声: 5nT/@1Hz

5. 工作电压：3V-5V

6. 工作电流: 5-20mA

7. 外形尺寸: 30mm(长）10mm（宽）*3mm（厚）

8. 工作温度：-40-80

9. 寿命：10年

磁探伤专用单轴巨磁阻抗效应（GMI）磁传感器可以单独使用，但更多的是组成探伤专用磁磁传感器阵列，欢迎客户咨询。